Menu
- Audio HiFi, Hi-End(7)
- Bezpieczniki, zabezpieczenia(250)
- Cewki, Dławiki, Filtry(1114)
- Diody(1582)
- Diody LED(395)
- Generatory, Kwarce(584)
- Głośniki, Mikrofony(66)
- Kondensatory(2139)
- Lampy Elektronowe(4)
- Narzędzia(0)
- Optoelektronika(453)
- Podstawki IC(112)
- Podzespoły mechaniczne(265)
- Podzespoły różne(189)
- Potencjometry(207)
- Przekaźniki(396)
- Przełączniki(216)
- Rezystory(1731)
- Sensory, czujniki(118)
- Stabilizatory, przetwornice(1092)
- Transformatory(218)
- Transoptory, optotriaki(252)
- Tranzystory(1409)
- Tyrystory, Triaki(25)
- Układy Mikroprocesory(1345)
- Układy Pamięci(2062)
- Układy scalone(9433)
- Zasilacze(35)
- Złącza(2148)
- Programowanie Eprom(0)
- Nowości
- Promocje
[3szt] 2N6798 N-FET 200V 5.5A 0.4 Ohm TO39 HARRIS
Dostępność:
średnia ilość
średnia ilość
Wysyłka w:
48 godziny
Cena:
25,09 zł
(1 szt. =
8,36 zł
)
Cena regularna:
Najniższa cena z 30 dni przed obniżką:
towar niedostępny
dodaj do przechowalni
Opis
Nazwa: 2N6798
Obudowa: TO39
Data Produkcji: 99
Producent: HARRIS SEMICONDUCTOR
Opis: MOS FET-N Uds=200V Id=5.5A Rds=0.4 Ohm *N-FET 200V 5.5A 0.4 Ohm
RoHs: Nie/Pb
Waga: 0,01 [kg] netto
Podana cena dotyczy: 3 szt.
Symbol magazynowy / Index: T-2N6798
Koszty dostawy
Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności
Kraj wysyłki:
Darmowa dostawa
Darmowa dostawa od kwoty 200 PLN (Paczkomat, DPD, Kurier Inpost 48)
Darmowa dostawa (Paczkomat Inpost) już od 200,00 zł.